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汽車IGBT SiC浪涌靜電保護(hù)方案及TVS管選型攻略

從東沃汽車IGBT SiC浪涌靜電保護(hù)方案設(shè)計(jì)圖可知，用于滿足MCU電源供電口浪涌靜電保護(hù)器件，東沃FAE工程師推薦選用自恢復(fù)保險(xiǎn)絲和TVS二極管。保護(hù)電路中的自恢復(fù)保險(xiǎn)絲PPTC選型DW-MSM050/24，保持電流0.5A、觸發(fā)電流1A、耐壓值24V、1812封裝。TVS選用汽車級TPSMBJ6.5CA，雙向、工作電壓6.5V、鉗位電壓11.2V、峰值脈沖電流53.57A、功率600W、SMB封裝、符合AEC-Q101認(rèn)證，穩(wěn)定高可靠性。

了解更多>> 2024-12-20

GPS接口浪涌靜電保護(hù)方案設(shè)計(jì)圖及防護(hù)器件選型詳解

從東沃GPS接口浪涌靜電保護(hù)方案設(shè)計(jì)圖可知，東沃電子技術(shù)從兩個(gè)方面進(jìn)行浪涌靜電防護(hù)：一個(gè)是對內(nèi)饋直流電源進(jìn)行浪涌防護(hù)，另一個(gè)是對射頻信號進(jìn)行防護(hù)。一級電源防護(hù)，東沃技術(shù)推薦選用半導(dǎo)體放電管P0080SC，用于吸收雷擊或大浪涌電流。饋電部分防護(hù)選用單向瞬態(tài)抑制TVS二極管SMBJ6.0A和肖特基二極管B0520W，可有效保護(hù)后端LDO芯片免受浪涌的沖擊。二級信號接口選用東沃推出的ESD靜電保護(hù)二極管DW05DLC-B-S，工作電壓5V、低鉗位電壓18.3V、低漏電流1uA。

2023-11-27

MIPI接口ESD靜電防護(hù)方案圖及TVS管陣列選型

從東沃MIPI接口ESD靜電防護(hù)方案設(shè)計(jì)圖中可知，東沃電子技術(shù)推薦選用4顆TVS管陣列DW3.3-4R2P-S為其端口保駕護(hù)航。東沃DW3.3-4R2P-S具有低漏電、低鉗位的特點(diǎn)，工作電壓3.3V。根據(jù)IEC 61000-4-2，它可用于提供高達(dá)±20kV（空氣放電）/±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)；根據(jù)IEC 61000-4-5，它可承受5.5A（8/20us）的峰值脈沖電流，對接口芯片提供可靠的靜電和浪涌保護(hù)。MIPI接口接線較多，DW3.3-4R2P-S采用DFN2.5x1-10L封裝，超小集

2023-11-20

MMC多媒體卡靜電浪涌保護(hù)方案及TVS二極管陣列（ESD二極管）選型推薦

從東沃MMC卡ESD靜電浪涌防護(hù)方案圖中可知，MMC信號接口防護(hù)東沃電子FAE工程師推薦選用TVS二極管陣列（ESD二極管）DW05-4R-S。DW05-4R-S具有低漏電、低鉗位的特點(diǎn)，工作電壓5V。根據(jù)IEC 61000-4-2，它可用于提供高達(dá)±30kV（空氣放電）/±30kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，根據(jù)IEC 61000-4-5，可承受15A（8/20us）的峰值脈沖電流，達(dá)到350W（8/20us）的峰值脈沖功率，對接口芯片提供可靠的ESD靜電和浪涌保護(hù)。MMC多媒體卡傳輸速率最大為10Mbi

2023-11-13

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